收藏本站
NTMFS4833N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1000
100
25 ° C
10
100 ° C
125 ° C
1
1
10
100
1,000
10,000
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 13. Avalanche Characteristics
100
Duty Cycle = 0.5
10
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, time (s)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4834NT3G MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
NTMFS4836NT1G MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FL
NTMFS4837NT1G MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL
NTMFS4839NT3G MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
NTMFS4841NT3G MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
NTMFS4845NT3G MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL
NTMFS4846NT3G MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
NTMFS4847NAT3G MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4834N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N−Channel, SO−8FL
NTMFS4834NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 130A 3MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4834NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 130A 3MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4835N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N−Channel, SO−8FL
NTMFS4835NT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4835NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4836N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions
NTMFS4836NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 90A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube